近日，南大光电接受投资者提问时表示，目前 193nm 光刻胶产品正在测试阶段，公司将在新基建的发展中，紧紧抓住“替代进口”的机遇，为国内集成电路产业的发展突破瓶颈和国产化做出积极的贡献。
光刻胶究竟是什么
半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外（duv，包括248nm和193nm）和极紫外（euv），相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。不同的光刻胶中，根据不同的需求，关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等也有所不同，使得光刻胶有不同的性能，进而能够满足相应的需求。
目前主要的光刻胶有g线光刻胶、i线光刻胶、krf光刻胶和arf光刻胶四种，其基本信息如下所示：
目前英特尔，三星等大的半导体制造商，芯片产品已经将量产工艺推进到了14nm至28nm区间，这个也代表目前量产的最高工艺。所以以上光刻胶种类里，能够采用193nm激光光源的浸润arf线光刻胶，是唯一能够满足应用的光刻胶产品，具有极高的技术壁垒，是半导体光刻胶高精尖的代表。
根据semi数据，2018年全球半导体用光刻胶市场，g线＆i线、krf、arf＆液浸、arf三类光刻胶三分天下，占比分别占24％、22％、42％。其中，arf／液浸arf光刻胶主要对应目前先进ic制程。随着双／多重曝光技术的使用，光刻胶使用次数增加，arf光刻胶市场需求将加速扩大。在euv技术成熟之前，arf光刻胶仍将是主流。未来，随着功率半导体、传感器、led市场的持续扩大，i线市场将持续增长。而随着精细化需求增加，i线光刻胶将被krf光刻胶替代，krf光刻胶市场需求将不断增加。
风口已至 国内替代进程加速
目前，在全球半导体光刻胶领域，主要被日本合成橡胶（jsr）、东京应化（tok）、罗门哈斯、日本信越、富士材料等头部厂商垄断。其中，在高端半导体光刻胶市场上，全球的euv和arf光刻胶主要是jsr、陶氏、信越化学等供应商，份额最大的是jsr、信越化学，tok也有研发
相较之下，中国企业份额不足10％，半导体光刻胶和lcd光刻胶都严重依赖进口，虽然国内光刻胶产业尚不成熟，但是，国内企业已迎来代替窗口，笔者认为主要有以下两个因素推动：
第一、新建晶圆厂投产：2020年～2022年是中国大陆晶圆厂投产高峰期，以长江存储，长鑫存储等新星晶圆厂和以中芯国际，华虹为代表的老牌晶圆厂正处于产能扩张期，未来3年将迎来密集投产。
第二、光刻胶代替窗口期：根据光刻胶的特性来推断，新建晶圆厂将是光刻胶国产代替的主要发展企业。国内新建晶圆厂的密集投产为光刻胶打开了最佳代替窗口。
根据国内晶圆厂的建设速度和规划，预计2022年国内半导体光刻胶市场将会是2019年的两倍，约55亿元。届时世界面板产能持续向中国转移，国内面板光刻胶市场需求预计约为105亿元。二者合计将带来约160亿元的市场空间。
而且在全球经济矛盾的情况下，产业地位更加重要了。参考 2019 年 7 月份日韩贸易冲突事件，日本在 2019 年 7 月 1 日突然宣布限制向韩国出口包括光刻胶在内的半导体材料。这三种原材料很难短时间在其他国家找到替代供 应商，但同时又是面板、存储器生产中极其关键的材料，韩国面临的窘迫处境使人深思，更应该激发我国对光 刻胶等关键原材料独立自主开发的重要性的认知。光刻胶技术在半导体制造中至关重要，国产替代势在必行。

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